碳化硅（SiC）器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)本測(cè)試系統(tǒng)具有高測(cè)試精度、高靈敏度、高可靠性、高安全性的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)碳化硅二極管、MOSFET器件開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間、反向電流及反向恢復(fù)電荷等測(cè)試，通過計(jì)算機(jī)控制，示波器采集波形，由計(jì)算機(jī)處理數(shù)據(jù)并顯示測(cè)試結(jié)果。 主要技術(shù)參數(shù)： 測(cè)試產(chǎn)品：SiC FRD,MOSFET（兼容Si基產(chǎn)品） 測(cè)試能力： a、開關(guān)時(shí)間測(cè)試 測(cè)試條件：ID：1A~1000A，VDS:5V~3500V，VGS:-10V~20V，Rg：手動(dòng)可調(diào)，阻性，感性負(fù)載 可切換 測(cè)試參數(shù)：td（on）\tr\td（off）\tf：.01nS-200nS，Eon\Eoff：10uJ~100mJ B、反向恢復(fù)特性測(cè)試 測(cè)試條件：IF:1A~1000A,VR:5V~3500V, di/dt:50A/us~10000A/us 測(cè)試參數(shù)：trr：0.1nS-200nS，QC：1nC~1uC，lrm：1A~200A，Erec：0.1uJ~1mJ C、短路電流測(cè)試 測(cè)試條件：Pulse width：1us~100us，VDS：5V~3500V 測(cè)試參數(shù)：Peak ID:10A~1000A,Delta Vds：10V~200V碳化硅（SiC）器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)